[发明专利]在透镜耦合SOI基光学系统中降低波长敏感度的装置无效
申请号: | 200480011388.X | 申请日: | 2004-04-28 |
公开(公告)号: | CN1788217A | 公开(公告)日: | 2006-06-14 |
发明(设计)人: | 马格利特·吉龙;普拉卡什·约托斯卡;罗伯特·凯斯·蒙特哥莫里;威普库马·帕特尔;索哈姆·帕塔克;卡尔潘都·夏斯特里;凯瑟琳·A·亚努舍弗斯奇 | 申请(专利权)人: | 斯欧普迪克尔股份有限公司 |
主分类号: | G02B6/12 | 分类号: | G02B6/12;G02B6/34 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人: | 张敬强 |
地址: | 美国宾夕*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种用于多波长光信号的光学耦合系统,在自由空间光束和SOI结构内很薄的表面层(“SOI”层)之间提供增强的耦合效率,允许在预定波长范围内获得足够的耦合效率(大于50%)。设在耦合棱镜和SOI层之间的倏逝耦合层特别构造为来增强耦合效率。在一个实施例中,倏逝层的厚度减小到低于单一波长的最佳值,减小的厚度在确定中心波长的预定波长范围内增强了耦合效率。可选择地,可以使用锥形厚度的倏逝耦合层来增强耦合效率(或组合使用减小厚度和锥形配置)。可以将光束控制和改进的倏逝耦合层组合使用来控制输入光束的发射角并进一步增强耦合效率。 | ||
搜索关键词: | 透镜 耦合 soi 光学系统 降低 波长 敏感度 装置 | ||
【主权项】:
1.一种在产生多个不同波长的光信号的外部光源和很薄的平面硅光波导之间提供光耦合的装置,该多个波长由波长范围和中心波长确定,该装置包括:倏逝耦合层,设在平面硅光波导的至少一部分上,该倏逝耦合层的折射率小于硅的折射率,并具有选定平均值的基本恒定厚度来在与外部光源有关的波长范围内最小化光损耗;和硅基棱镜耦合结构,设在倏逝耦合层之上,该棱镜耦合结构包括相对波导表面以预定角度形成的输入面和相对波导表面以预定角度形成的输出面,该棱镜耦合装置还包括设在倏逝耦合层之上的较低平面。
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