[发明专利]利用其之一被预处理的两处理气体来沉积半导体层的方法和设备

摘要

本发明涉及一种方法和设备，其用于在设置在反应器(1)的处理室(2)中而且由衬底座(4)承载的至少一个衬底(5)上沉积至少一层、具体而言半导体层。所述层包含至少两种材料组分，所述两种材料组分处于固定的化学计量比且分别以第一反应气体和第二反应气体的形式被引入反应器(1)中，且一部分分解产物形成所述层，藉此具有低热活化能的所述第一反应气体的供给决定了所述层的生长速度，且具有高热活化能的所述第二反应气体被过量供给，更具体而言，通过独立的能量供给来被预处理。所述第一反应气体通过多个设置分布在气体入口构件(3)的表面上的开口(6)在衬底座(4)的方向流动，所述表面与所述衬底座(4)相对设置。根据本发明，第二处理气体在其进入处理室(2)之前被预处理且在衬底座(4)的边缘(19)在衬底座(4)的紧上方进入处理室(2)，且平行于衬底座表面流动。

主权项

1、一种方法，用于在反应器(1)的处理室(2)中由衬底座(4)承载的至少一个衬底(5)上沉积至少一层、具体而言半导体层，所述层包含至少两种材料组分，所述两种材料组分处于固定的化学计量比且分别以第一反应气体和第二反应气体的形式被引入反应器(1)中，在所述反应器(1)中所述反应气体由于能量供给从而被分解，且某些所述分解产物形成所述层，具有低热活化能的所述第一反应气体的供给决定了所述层的生长速度，且具有高热活化能的所述第二反应气体被过量供给，更具体而言，通过单独的能量供给来被预处理，所述第一反应气体通过多个设置分布在气体入口构件(3)的表面上的开口(6)在衬底座(4)的方向流动，所述气体入口构件(3)与所述衬底座(4)相对设置，其特征在于，所述第二处理气体在其进入处理室(2)之前被预处理且在衬底座(4)的边缘(19)在衬底座(4)的紧上方进入处理室(2)，且平行于衬底座表面(20)流动。