[发明专利]处理薄膜衬底的方法有效

专利信息
申请号: 200480011643.0 申请日: 2004-04-21
公开(公告)号: CN1781350A 公开(公告)日: 2006-05-31
发明(设计)人: 汉斯·约兰·埃瓦尔德·马丁;克拉斯·安德斯·约尔特;米卡埃尔·彼得·埃里克·林德贝里 申请(专利权)人: 森谢尔公司
主分类号: H05K3/18 分类号: H05K3/18
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 王英
地址: 瑞典代*** 国省代码: 瑞典;SE
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摘要: 发明包括处理过的薄膜衬底(10)及其方法,以便生产弹性印制电路卡,其具有多个通过或穿过薄膜衬底并且沿着背对的表面电连接的微通孔,从而形成电路。第一数量的真正纳米路径填充有具有良好电特性的第一材料(M1),用于形成第一数量的在此命名的第一通孔(V10、V30、V50),而第二数量的真正纳米路径填充有具有良好电特性的第二材料(M2),用于形成第二数量的在此命名的第二通孔(V20、V40、V60)。选择所述第一和第二通孔(V10-V60)的第一材料(M1)和第二材料(M2)具有相互不同的热电特性。分布和/或调整表面施加到薄膜衬底和涂敷在薄膜衬底(10)的两侧(10a、10b)上的材料以便允许分配了第一材料(M1)的第一通孔与分配了第二材料(M2)的第二通孔电互连,并且使包含在串联连接中的第一通孔(V10)和包含在串联连接中的最后一个通孔(V60)串联配位以便形成热电偶(100)或其他电路装置。
搜索关键词: 处理 薄膜 衬底 方法
【主权项】:
1、一种为了生产印制电路卡或板的处理过的薄膜衬底,具有多个通过或穿过所述薄膜衬底,并且沿着背对表面电连接以形成电路的微通孔,其中;a;利用例如以离子形式的加速粒子处理薄膜衬底的至少某些选择的表面部分;b;当所述粒子轰击所述选择的表面部分时,所述粒子的速度和质量应该相互调整到这样的值以至于选择与粒子相关的动能,从而使至少一些所述粒子会完全确定地穿过所述薄膜衬底,以便这样允许形成穿越所述薄膜衬底的纳米线或潜在纳米路径;c;例如以已知方式处理所选择的潜在穿越纳米路径,以便形成穿越该薄膜衬底的真正纳米路径;d;以本身是已知的方法使所述真正纳米路径填充有具有选定的导电特性的材料,用于形成所述穿孔微通孔;e;多个穿孔微通孔或通孔通过一种或者两种施加到该薄膜衬底的背对表面上并且具有选定的导电特性的材料进行电互连,第一数量的所述真正纳米路径填充有具有选定电特性的第一材料(M1),用于形成第一数量的在此命名的第一通孔(V10、V30、V50),而第二数量的所述真正纳米路径填充有具有选定电特性的第二材料(M2),用于形成第二数量的在此命名的第二通孔(V20、V40、V60),特征在于选择所选择的第一和第二通孔(V10-V60)的所述第一材料(M1)和所述第二材料(M2)具有相互不同的电特性,分布和/或调整表面施加到该薄膜衬底和涂敷在该薄膜衬底两侧上的材料以便允许分配了所述第一材料的第一通孔与分配了所述第二材料的第二通孔电互连,并且使包含在串联连接中的第一通孔(V10)和包含在所述串联连接中的最后一个通孔(V60)配位以提供热电偶和/或电路装置。
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