[发明专利]真空成膜装置和真空成膜方法以及太阳电池材料有效
申请号: | 200480011828.1 | 申请日: | 2004-04-30 |
公开(公告)号: | CN1781183A | 公开(公告)日: | 2006-05-31 |
发明(设计)人: | 山崎秀作;长谷川敬晃;水野昌幸 | 申请(专利权)人: | 石川岛播磨重工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;H01L21/31;H01L31/04;C23C16/46 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 温大鹏 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种真空成膜装置,其将由基板加热装置(3)进行加热的基板(17)导入成膜室(11)进行成膜,其中,基板加热装置(3)具有:加热室(23);扁平形状的板式喷嘴(33),其以与搬入于该加热室(23)的基板(17)的面保持所要求的间隔的方式配置于加热室(23)中,并形成气体导入口(34);加热气体导入装置(32),其将加热气体导入该板式喷嘴(33)的气体导入口(34)中;另外,其在上述板式喷嘴(33)中的与基板(17)对置的面板(33a)上备有通过加热气体的碰撞射流而对基板(17)进行加热的多个气体喷出口(35)。 | ||
搜索关键词: | 真空 装置 方法 以及 太阳电池 材料 | ||
【主权项】:
1.一种真空成膜装置,其将由基板加热装置加热了的基板导入成膜室中进行成膜,其特征在于,上述基板加热装置具有:加热室;扁平形状的板式喷嘴,其以与搬入到该加热室的基板的面具有所需的间隔的方式配置于加热室中,并备有气体导入口;加热气体导入装置,其将加热气体导入到该板式喷嘴的气体导入口中;在上述板式喷嘴的与基板对置的面板上,备有通过加热气体的碰撞射流而对基板进行加热的多个气体喷出口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造