[发明专利]宽温度范围的卡盘系统无效
| 申请号： | 200480011923.1 | 申请日： | 2004-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN1784765A | 公开（公告）日： | 2006-06-07 |
| 发明（设计）人： | A·王 | 申请（专利权）人： | 亚舍立技术公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;C23C16/458;H01L21/687 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种用于在处理腔内支撑工件的装置，其包括第一“热”卡盘和第二“冷”卡盘，其中所述第一“热”卡盘具有用于支撑工件的表面，并包括用于加热所述热卡盘的电加热元件，所述第二“冷”卡盘中形成有流体路径，用以循环热交换流体。所述冷卡盘能够选择性地朝着或离开所述热卡盘移动，从而改变所述热卡盘和所述冷卡盘之间的热交换速度。 | ||
| 搜索关键词： | 温度 范围 卡盘 系统 | ||
【主权项】：
1.一种用于在处理腔内支撑工件的装置，所述装置包括连接到第一卡盘的加热器，所述第一卡盘具有用于支撑所述工件的表面，所述装置还包括第二卡盘，所述第二卡盘让冷却装置连接到其上，所述第二卡盘可以与所述第一卡盘热连接，从而可以改变所述第一卡盘和所述第二卡盘间的热交换速度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于亚舍立技术公司，未经亚舍立技术公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200480011923.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
