[发明专利]制造嵌段巯基硅烷的方法有效

专利信息
申请号: 200480012021.X 申请日: 2004-03-03
公开(公告)号: CN1784412A 公开(公告)日: 2006-06-07
发明(设计)人: 马克·D·韦斯特迈耶;拉塞尔·伯顿;蒂比里厄·L·西曼丹 申请(专利权)人: 通用电气公司
主分类号: C07F7/08 分类号: C07F7/08;C07F7/18
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 贾静环;宋莉
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 制造嵌段巯基硅烷的方法,包括:(a)将至少一种通式为(R13SiG)2Sn的含聚硫烷的有机硅化合物和至少一种碱金属、碱土金属或者碱金属或者碱土金属的碱性衍生物反应,来提供含聚硫烷的有机硅化合物的相应金属盐,上式中,每个R1独立地是甲氧基、乙氧基或者具有1到约6个碳原子的烷基,条件是至少一个R1基团是甲氧基或者乙氧基,G是具有1到约12个碳原子的亚烃基基团,n是2到约8,以及;(b)含聚硫烷的有机硅化合物的金属盐和酰卤或者碳酰二卤反应,得到嵌段巯基硅烷。
搜索关键词: 制造 巯基 硅烷 方法
【主权项】:
1.制造嵌段巯基硅烷的方法,包括:将至少一种具有下述通式的含聚硫烷的有机硅化合物(R13SiG)2Sn(a)(a)式中,每个R1独立地是甲氧基、乙氧基或者具有1到约6个碳原子的烷基,条件是至少一个R1基团是甲氧基或者乙氧基,G是具有1到约12个碳原子的亚烃基基团,n是2到约8,和至少一种碱金属、碱土金属或者碱金属或者碱土金属的碱性衍生物反应,以提供含聚硫烷的有机硅化合物的相应金属盐,以及(b)将含聚硫烷的有机硅化合物的金属盐和酰卤或者碳酰二卤反应以提供嵌段巯基硅烷。
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