[发明专利]磷化铟基板、磷化铟单晶及其制造方法有效
| 申请号： | 200480012206.0 | 申请日： | 2004-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN1784514A | 公开（公告）日： | 2006-06-07 |
| 发明（设计）人： | 川瀬智博 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁业平;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 为了得到晶片上性能均匀和稳定且使用寿命长的化合物半导体器件，本发明提供一种磷化铟基板及其制造方法，其中磷化铟基板的位错密度低，掺杂剂浓度在晶片上以及在深度方向上具有优异的均匀性。为了使晶体生长方向沿于生长容器的下端。然后将装有晶种、磷化铟原料、掺杂剂和氧化硼的生长容器置于晶体生长室内。并将温度升高到等于或大于磷化铟的熔点。当氧化硼、磷化铟原料和掺杂剂熔化后，降低生长容器的温度，以便得到位错密度低以及在晶片上和深度方向上掺杂剂浓度均匀的磷化铟单晶。 | ||
| 搜索关键词： | 磷化 铟基板 铟单晶 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种含有掺杂剂的磷化铟基板，包括：晶片的平均位错密度值小于5000cm-2；所述晶片中掺杂剂浓度最大值和最小值之差相对于平均值的比例是30％或小于30％；所述掺杂剂浓度在所述晶片深度方向上基本均匀分布。
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