[发明专利]半导体MOS、CMOS器件和电容器及其制造方法有效
| 申请号： | 200480012495.4 | 申请日： | 2004-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN1784769A | 公开（公告）日： | 2006-06-07 |
| 发明（设计）人： | D·M·埃皮奇;R·A·维默 | 申请（专利权）人： | 微米技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/49 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;梁永 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明包括形成电路器件的方法。厚度不超过20埃(或者说由不超过70个ALD周期形成的厚度)的含金属材料在经导电掺杂的硅和介质层之间形成。经导电掺杂的硅可以为n－型硅，介质层可以为高k介质材料。含金属材料可直接在介质层上形成，经导电掺杂的硅可直接在含金属材料上形成。电路器件可为电容器结构或晶体管结构。如果电路器件是晶体管结构，则该电路器件可包含在CMOS组件内。本发明的各种器件可被包含在存储结构内，并且可被包含在电子系统中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 mos cmos 器件 电容器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成电路器件的方法，包括：在衬底上形成介质层；直接在所述介质层上形成含金属材料，所述含金属材料形成为不超过20埃的厚度；以及直接在所述含金属材料上形成经导电掺杂的硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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