[发明专利]时分复用处理中的包络跟随器终点检测有效
申请号: | 200480012570.7 | 申请日: | 2004-05-06 |
公开(公告)号: | CN1784778A | 公开(公告)日: | 2006-06-07 |
发明(设计)人: | 鲁塞尔·韦斯特曼;大卫·约翰逊 | 申请(专利权)人: | 优利讯美国有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/3065;H01J37/32 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 黄启行;谢丽娜 |
地址: | 美国佛*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种用于在交替循环蚀刻处理或时分复用处理期间确立终点的方法和设备。把衬底放置在一个等离子体室中并进行具有一个蚀刻步骤和一个淀积步骤的交替循环处理。利用公知的光发射光谱测定技术,监测等离子体发射强度的变化。利用包络跟随器算法,从等离子体发射强度的复杂波形之中提取幅度信息。当在根据监测步骤的一定时间到达终点时中断交替循环处理。 | ||
搜索关键词: | 时分 用处 中的 包络 跟随 终点 检测 | ||
【主权项】:
1.一种在衬底中蚀刻特征的方法,包括以下步骤:在等离子体室中对衬底进行交替处理;监测等离子体发射强度中的变化;采用包络跟随器算法,从所述等离子体发射强度中提取幅度信息;以及在根据所述监测步骤的一定时间中断所述交替处理。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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