[发明专利]发光二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 200480012658.9 | 申请日： | 2004-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN1784790A | 公开（公告）日： | 2006-06-07 |
| 发明（设计）人： | 浅井诚;山崎史郎;小泽隆弘;生川满久 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐谦 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 由无添加GaN整体晶体构成的厚度约为150μm的半导体晶体基片(102)的背侧由以下部分来构成：由干蚀刻来精加工的平坦的被研磨面(102a)；由干蚀刻来精加工的锥形的被研磨面(102b)。在由GaN构成的膜厚约为10nm的n型覆层(104)(低载流子浓度层)上，形成有紫外线发光MQW结构活性层(105)，该活性层(105)将膜厚约为2nm的由Al0.005In0.045Ga0.95N组成的阱层(51)与膜厚约为18nm的由Al0.12Ga0.88N组成的势垒层(52)交替层叠了合计5层而成。此外，在半导体基片(a)的被研磨面上形成负电极(n电极c)的电极形成工序之前，对该被研磨面进行干蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管制造方法，是在晶体生长基片的晶体生长面上层叠有半导体层的面发光型的发光二极管制造方法，该方法的特征在于包括：从背面对前述晶体生长基片进行研磨、切割、或喷射处理，由此来形成有助于光输出的出射面或反射面的形状加工工序；利用蚀刻，对经前述形状加工工序而形成的前述出射面或前述反射面进一步进行精加工处理的加工面精加工工序。
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