[发明专利]碳化钨颗粒的处理方法无效
| 申请号： | 200480012731.2 | 申请日： | 2004-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN1788097A | 公开（公告）日： | 2006-06-14 |
| 发明（设计）人： | P·卡伦;A·特伦布莱 | 申请（专利权）人： | 英弗盖尔公司 |
| 主分类号： | C22C29/08 | 分类号： | C22C29/08;C22C29/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 蔡胜有 |
| 地址： | 加拿大*** | 国省代码： | 加拿大;CA |
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| 摘要： | 提供了一种碳化钨处理方法。原材料含有W－C系碳化钨颗粒，相图上描绘出其是具有面心立方结构的γ单相区，所述单相区向上与液相线交界。在该单相区对所述颗粒进行均匀化处理，并且，随后可以通过熔化进行球化处理。然后，对其进行淬火，以便在室温下冻结所述单相结构。任选地，可以在原材料中添加至少一种合金元素，以扩大单相区，从而提高单相颗粒的淬透性。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化 颗粒 处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种处理碳化钨颗粒的方法，其包括如下步骤：a)提供含W-C系碳化钨颗粒的原材料，其组成、显微组织和相分布在相图上示出，该相图显示具有面心立方结构的γ单相区，所述单相区向上与液相线交界，而且，所述颗粒的碳含量的选择使其热路径穿过单相区；b)在所述单相区对所述原材料进行均匀化处理，由此获得具有面心立方结构的单相颗粒；以及c)对碳化钨淬火处理，使单相颗粒在室温保持单相结构。
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