[发明专利]化合物半导体及其制造方法有效
| 申请号： | 200480012774.0 | 申请日： | 2004-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN1788358A | 公开（公告）日： | 2006-06-14 |
| 发明（设计）人： | 清水诚也;佐佐木诚;土田良彦 | 申请（专利权）人： | 住友化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱丹 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种3－5族化合物半导体，具有多重量子阱结构，该多重量子阱结构包括至少两个以下的量子阱结构，即所述量子阱结构是由以一般式InxGayAlzN表示的量子阱层、和夹持该量子阱层的2个阻挡层构成的量子阱结构，其中，x+y+z＝1、0＜x＜1、0＜y＜1、0≤z＜1，该3－5族化合物半导体特征是：利用所述多重量子阱结构的X射线衍射测定的量子阱层的平均InN混晶比，相对于由通过向所述3－5族化合物半导体注入电荷而发光的发光波长算出的InN混晶比，在42.5％以下。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种3-5族化合物半导体，具有多重量子阱结构，该多重量子阱结构包括至少两个以下的量子阱结构，即所述量子阱结构是由以一般式InxGayAlzN表示的量子阱层、和夹持该量子阱层的2个阻挡层构成的量子阱结构，其中，x+y+z＝1、0＜x＜1、0＜y＜1、0≤z＜1，该3-5族化合物半导体特征是：利用所述多重量子阱结构的X射线衍射测定的量子阱层的平均InN混晶比，相对于由通过向所述3-5族化合物半导体注入电荷而发光的发光波长算出的InN混晶比，在42.5％以下。
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