[发明专利]用于微机电系统的阻挡层无效
| 申请号： | 200480012793.3 | 申请日： | 2004-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN1788330A | 公开（公告）日： | 2006-06-14 |
| 发明（设计）人： | S·R·帕特尔;J·多恩 | 申请（专利权）人： | 反射公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/76 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在此公开了一种处理微机电器件的方法。此方法通过在连续的牺牲与结构层之间设置选定阻挡层来阻止牺牲层与微机电器件的结构层之间的扩散和相互作用。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 微机 系统 阻挡 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：沉积第一牺牲层；在所述第一牺牲层之后，沉积第一阻挡层；在所述第一阻挡层之后，形成一微机电器件的结构层；通过除去所述第一牺牲层及所述第一阻挡层，来分离所述微机电器件；及其中所述第一阻挡层阻止所述第一牺牲层与所述结构层之间的扩散和反应。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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