[发明专利]用于铜和相关材料的改进的化学机械抛光组合物及其使用方法无效
| 申请号： | 200480012930.3 | 申请日： | 2004-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN1787895A | 公开（公告）日： | 2006-06-14 |
| 发明（设计）人： | 迈克尔·达西罗;彼得·弗施卡;卡尔·博格斯 | 申请（专利权）人： | 高级技术材料公司 |
| 主分类号： | B24D3/02 | 分类号： | B24D3/02;B24B1/00;C09C1/68;C09K3/14;H01L21/302;H01L21/461 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 樊卫民;郭国清 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种CMP组合物，其包含流变剂以及例如氧化剂、鳌合剂、抑制剂、研磨剂和溶剂。这种CMP组合物有利地增加在CMP方法中的材料选择性，可用于抛光半导体衬底上铜元件的表面，而不会在抛光的铜内产生凹陷或其他不利的平坦化缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 相关 材料 改进 化学 机械抛光 组合 及其 使用方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于平坦化铜薄膜的CMP组合物，包括研磨剂组分、流变剂和溶剂。
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