[发明专利]CVD涂敷装置有效
| 申请号： | 200480012947.9 | 申请日： | 2004-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN1788107A | 公开（公告）日： | 2006-06-14 |
| 发明（设计）人： | 约翰尼斯·卡普勒 | 申请（专利权）人： | 艾克斯特朗股份公司 |
| 主分类号： | C23C16/46 | 分类号： | C23C16/46;C23C16/448;C23C16/458 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 王冉;王景刚 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种方法，所述方法在处理室(1)中通过注入到所述处理室(1)中并且经受特别热解反应的反应气体将特别的晶体层沉积在一个或多个特别的相同晶体基片上。该装置包括从一侧加热并且在其上搁置了至少一个补偿板(4)从而形成水平间隙(3)的载板(2)。为了更好地影响表面温度，所述水平间隙(3)的间隙高度是变化的或局部不同的，以改变所述补偿板(4)的局部表面温度。 | ||
| 搜索关键词： | cvd 装置 | ||
【主权项】：
1.一种装置，利用可以从一侧加热并且在其上搁置了至少一个补偿板(4)从而形成水平间隙(3)的载板(2)，在处理室(1)中通过注入到所述处理室(1)中并且在此经受特别的热解反应的反应气体将特别是晶体层沉积在一个或多个特别是相同晶体基片上，其特征在于所述水平间隙(3)的间隙高度是变化的或局部不同的，以影响所述补偿板(4)的局部表面温度。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
