[发明专利]位线结构及其制造方法

摘要

本发明涉及包含表面位线和埋藏的位线(5，SL)的位线结构，其中该埋藏的位线形成在沟槽(T)的上段中，并经第一连接层(11)连接到有关的第一掺杂区(S)。此外，通过第二沟槽隔离层(4)与该埋藏的位线(5，SL)隔离的第一沟槽填充层(3)处于沟槽(T)的下段中。

主权项

1、一种位线结构，包括：衬底(1，100，101)，在该衬底中形成深沟槽(T)；第一沟槽隔离层(2)，其形成在沟槽表面上；第一沟槽填充层(3)，其形成在所述第一沟槽隔离层(2)的表面上并填充所述沟槽(T)的下段；第二沟槽隔离层(4)，其形成在所述第一沟槽填充层(3)的表面上；用于形成埋藏的位线(SL)的第二导电沟槽填充层(5)，其形成在所述第二沟槽隔离层(4)的表面上并填充所述沟槽(T)的上段至少部分地直到所述衬底表面，；至少一个第一导电型(n)的第一掺杂区(8，S)，其形成在所述衬底(101)的表面中；至少一个第一导电连接层(11，13A)，其被形成用于将所述第一掺杂区(S)电连接到在所述第一掺杂区(8，S)的表面上的第二沟槽填充层(5，SL)、所述第一沟槽隔离层(2)和第二沟槽填充层(5，SL)；至少一个第一导电型(n)的第二掺杂区(8，D)，其形成在所述衬底(101)的表面中；表面电介质(7，10，12，12A，12B)，其形成在所述衬底(101)的表面上和所填充的沟槽(T)的表面上；表面位线(DL)，其形成在所述表面电介质的表面上；和至少一个第二连接层(13)，其被形成用于将所述表面位线(DL)连接到所述表面电介质中的至少第二掺杂区(8，D)。