[发明专利]使用原料气体和反应性气体的处理装置

摘要

本发明涉及一种使用原料气体和反应性气体对被处理体(例如半导体晶片)进行成膜处理等的处理装置。该装置具有：内部容纳被处理体(W)的处理容器(22)，分别向处理容器内选择性地供给原料气体和反应性气体的原料气体供给系统(50)和反应性气体供给系统(52)，和用于对处理容器内的环境气体进行真空排气、具有真空泵(44、46)的真空排气系统(36)。该装置还具有使原料气体和反应性气体分别绕过处理容器，从各气体供给系统选择性地流入真空排气系统的原料气体旁路系统(62)和反应性气体旁路系统(66)。在各旁路系统(62、66)中，分别设置有在关闭状态下防止原料气体和反应性气体向真空排气系统流出的原料气体流出防止阀(X1)和反应性气体流出防止阀(Y1)。

主权项

1.一种处理装置，其特征在于，具有：内部容纳被处理体的处理容器；向所述处理容器内选择性地供给原料气体的原料气体供给系统；向所述处理容器内选择性地供给反应性气体的反应性气体供给系统；用于对所述处理容器中的环境气体进行真空排气、具有真空泵的真空排气系统；使所述原料气体从所述原料气体供给系统绕过所述处理容器选择性地流入所述真空排气系统的原料气体旁路系统；使所述反应性气体从所述反应性气体供给系统绕过所述处理容器选择性地流入所述真空排气系统的反应性气体旁路系统；设置在所述原料气体旁路系统中，在关闭状态下能够防止所述原料气体流向所述真空排气系统的原料气体流出防止阀；以及设置在所述反应性气体旁路系统中，在关闭状态下能够防止所述反应性气体流向所述真空排气系统的反应性气体流出防止阀。