[发明专利]半导体器件制造方法和掩模图案数据生成方法无效
| 申请号： | 200480013212.8 | 申请日： | 2004-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN1791836A | 公开（公告）日： | 2006-06-21 |
| 发明（设计）人： | 田中稔彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | G03F1/08 | 分类号： | G03F1/08;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种制造具有沿纵向延伸的第一布线图案以及与第一布线图案形状相同并沿与所述纵向垂直的方向即横向延伸的第二布线图案的半导体器件的方法。该方法包括以下步骤：使用线性偏振照明来根据包括用于形成第一布线图案的掩模图案(16)和用于形成第二布线图案的掩模图案(17)的掩模图案进行曝光的步骤；以及在曝光之后形成具有与掩模图案(16，17)对应的形状的第一布线图案和第二布线图案的步骤，其中，用于形成第一布线图案和第二布线图案的掩模图案(16，17)的形状彼此不同。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 图案 数据 生成 | ||
【主权项】：
1、一种制造半导体器件的方法，所述半导体器件包括沿第一方向延伸的第一图案(14)以及与所述第一图案(14)形状相同并沿与所述第一方向垂直的第二方向延伸的第二图案(15)，所述方法包括以下步骤：使用线性偏振照明来沿着包括分别用于形成所述第一图案(14)和所述第二图案(15)的第一掩模图案(16)和第二掩模图案(17)的掩模图案进行曝光；以及随后形成具有沿着所述掩模图案的形状的所述第一和第二图案(14、15)，所述第一和第二掩模图案(16、17)几何形状不同。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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