[发明专利]用于带状射束离子注入器的高解析度分离磁体无效
申请号: | 200480013242.9 | 申请日: | 2004-05-14 |
公开(公告)号: | CN1791961A | 公开(公告)日: | 2006-06-21 |
发明(设计)人: | V·班威尼斯特;Y·黄 | 申请(专利权)人: | 艾克塞利斯技术公司 |
主分类号: | H01J37/317 | 分类号: | H01J37/317;H01J37/05;H01J37/153 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 肖春京;黄力行 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明公开了一种用于带状离子束的质量分析器。该质量分析器包括一对线圈,其确定该分析器入口端及出口端。在该质量分析器的一或多个出入口端或其附近使用场钳制器。这些场钳制器工作以终止靠近该质量分析器出入口端的边缘场,从而降低这类边缘场对该带状射束的影响并改善射束的均匀度。 | ||
搜索关键词: | 用于 带状 离子 注入 解析度 分离 磁体 | ||
【主权项】:
1.一种离子注入系统,其包括:一离子源,其可操作以产生一带状离子束;一质量分析系统,其可操作以在一入口端接收该带状离子束并将该带状离子束内具有想要的电荷对质量比值的离子沿着一预定路径偏转以在一出口端输出,该质量分析系统还包括位于该入口端及出口端之一的场钳制器,该场钳制器可操作成基本上终止与其相关的一边缘场,从而减少该带状离子束的失真;以及一在该质量分析系统下游的终端站,其可操作成通过该带状离子束对一工件进行注入时支撑该工作。
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