[发明专利]反射体、反射体的用途以及反射体的制造方法无效
| 申请号： | 200480013294.6 | 申请日： | 2004-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN1791810A | 公开（公告）日： | 2006-06-21 |
| 发明（设计）人： | 岛田幸一;小池胜彦;福田伸 | 申请（专利权）人： | 三井化学株式会社 |
| 主分类号： | G02B5/08 | 分类号： | G02B5/08;F21V7/22;F21V8/00 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 钟晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种反射体，其具有高反射率，在该反射体中使用有以选自银、铝的金属作为主体的金属层。根据本发明提供的反射体其结构是，在高分子基体上积层高折射率层、低折射率层、和以银或铝作为主体的金属层，通过使用一种能使构成高分子基体表面和内部的XPS可测定的原子大致相同的高分子基体，则可以得到能实现反射率比以往技术更高的反射体。另外，该反射体可以使用于反射器、导光板下反射体、背照装置和液晶显示装置。本发明还提供了该反射体的制造方法以及使用该反射体的反射器、导光板下反射体、背照装置、和液晶显示装置。 | ||
| 搜索关键词： | 反射 用途 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种反射体，其特征是，具有积层结构，该积层结构至少含有高折射率层(A)，低折射率层(B)，以选自银、铝的金属作为主体的金属层(C)，和高分子基体(D)，其中，(A)层、(B)层、(C)层以(A)/(B)/(C)的顺序积层，该高分子基体(D)满足下述(I)的条件：(I)在距高分子基体(D)的反射层侧深度0～10nm处以XPS测定观测到的原子(A1)(但排除金属)中，所含的与在距高分子基体(D)的反射层侧深度50nm～10μm处以XPS测定观测到的原子(A2)(但排除金属)相同的原子的比例(Rn)为98.0atom％或其以上。
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