[发明专利]制造具有平坦化层的自对准双极晶体管的方法及相关结构无效
申请号: | 200480013612.9 | 申请日: | 2004-03-20 |
公开(公告)号: | CN1791981A | 公开(公告)日: | 2006-06-21 |
发明(设计)人: | A·卡尔博格;M·拉卡内利 | 申请(专利权)人: | 杰斯半导体公司纽波特工厂 |
主分类号: | H01L27/082 | 分类号: | H01L27/082 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 杨晓光;李峥 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 根据一个示例性实施例,一种双极晶体管包括具有顶面的基极。所述双极晶体管还包括位于所述基极的所述顶面上的第一和第二连接隔离物。所述双极晶体管还包括位于所述基极的所述顶面上所述第一与所述第二连接隔离物之间的牺牲柱。所述第一和第二连接隔离物的高度可例如约等于,或者在另一个实施例中,显著小于所述牺牲柱的高度。根据该示例性实施例,所述双极晶体管还包括位于所述牺牲柱、所述第一和所述第二连接隔离物以及所述基极上的非牺牲平坦化层。所述非牺牲平坦化层可包括例如硅酸盐玻璃。所述牺牲平坦化层的高度可例如约等于,或者在另一个实施例中,大于所述第一和所述第二连接隔离物的高度。 | ||
搜索关键词: | 制造 具有 平坦 对准 双极晶体管 方法 相关 结构 | ||
【主权项】:
1.一种双极晶体管,包括:基极,具有顶面;第一连接隔离物和第二连接隔离物,位于所述基极的所述顶面上;牺牲柱,位于所述基极的所述顶面上,所述牺牲柱位于所述第一连接隔离物与所述第二连接隔离物之间;以及非牺牲平坦化层,位于所述牺牲柱、所述第一和所述第二连接隔离物以及所述基极上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的