[发明专利]场致发光器件无效
申请号: | 200480013682.4 | 申请日: | 2004-05-12 |
公开(公告)号: | CN1791983A | 公开(公告)日: | 2006-06-21 |
发明(设计)人: | A·吉拉多;H·里卡 | 申请(专利权)人: | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L27/32;H01L51/50 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 刘红;梁永 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 公开了一种场致发光器件(1),包括:下电极层(10)和上电极层(2),它们都可与驱动电路(3)相连,并可以从下面电学访问。一个或多个功能层(5)布置在电极层(2,10)之间以形成场致发光区域。器件(1)包括凹凸图案,该凹凸图案包括绝缘正斜率脊(7),该正斜率脊之间形成槽(13)。上电极层(2)在至少一个正斜率脊(7)上具有延伸,槽(13)位于正斜率脊(7)的第一侧(7’),接触表面(4)位于正斜率脊(7)的第二侧(7”)。上电极层(2)的延伸提供被所述上电极层(2)覆盖的所述接触表面(4)的至少一部分。从而上电极层(2)可以从下面的接触表面(4)电学访问。器件(1)可用于有源矩阵显示器中构造的阴极,和/或减小透明/半透明阴极中的薄膜电阻。 | ||
搜索关键词: | 发光 器件 | ||
【主权项】:
1.一种场致发光器件(1),包括:下电极层(10),从下面可以电学访问,上电极层(2),所述下电极层(10)和所述上电极层(2)可以连接到驱动电路(3),一个或多个布置在所述下(10)和所述上(2)电极层之间的功能层(5)以形成至少一个场致发光区域,和凹凸图案,包括至少两个绝缘正斜率脊(7),正斜率脊间形成用于所述功能层(5)的槽(13),其中所述上电极层(2)在至少一个正斜率脊(7)上具有延伸,所述槽(13)位于所述至少一个正斜率脊(7)的第一侧(7’),其特征在于接触表面(4)位于所述至少一个正斜率脊(7)的第二侧(7”),其中所述延伸提供了被所述上电极层(2)覆盖的所述接触表面(4)的至少一部分,从而上电极层(2)可以从下面的所述接触表面(4)电学访问。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于皇家飞利浦电子股份有限公司,未经皇家飞利浦电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200480013682.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:心脉通口服制剂的质量控制方法
- 下一篇:用于多媒体系统的时钟恢复系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的