[发明专利]可调发光半导体器件有效
| 申请号： | 200480013692.8 | 申请日： | 2004-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN1791987A | 公开（公告）日： | 2006-06-21 |
| 发明（设计）人： | E·P·A·M·巴克斯;S·P·格拉博斯基 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳;王忠忠 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种可调发光半导体器件(50)，其包括至少一个细长结构(120)，该细长结构至少部分由一种或多种展示包括其能量对应于发光的光子能量的一个或多个能量跃迁的带隙特性半导体材料制造。由此该至少一种结构(120)工作时以响应流经其的电流而发光。此外，将该至少一个细长结构(120)制造的足够窄以产生与电流相关的电荷载流子的量子限制。而且，该至少一个细长结构(120)还包括电极排列(190)，该电极布置用于将电场施加到至少一个细长结构(120)，用于引起其带隙特性的弯曲，用于响应流过其的电流来调整运行中从至少一个结构(120)发出的光的波长。 | ||
| 搜索关键词： | 可调 发光 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种可调发光半导体器件(50)，其包括至少一个细长结构(120)，该细长结构至少部分由一种或多种展示包括其能量对应于发光的光子能量的一个或多个能量跃迁的带隙特性半导体材料制造，由此该至少一种结构(120)工作时响应流经其的电流而发光，该至少一个细长结构(120)对于和其中将产生的电流相关的电荷载流子的量子限制是足够窄的，该至少一个细长结构(120)还包括电极排列(190，190a，190b)，该电极布置用于将电场施加到所述至少一个细长结构(120)，用于引起其带隙特性的弯曲，用于响应于流过其的电流调整运行中从至少一个结构(120)发出的光的波长。
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