[发明专利]利用自组装图案化沉积含纳米结构材料的方法和装置和相关制品有效
申请号: | 200480013780.8 | 申请日: | 2004-03-19 |
公开(公告)号: | CN1802727A | 公开(公告)日: | 2006-07-12 |
发明(设计)人: | 周子刚;吴秀真;章健;程远;英雄下田 | 申请(专利权)人: | 北卡罗来纳-查佩尔山大学 |
主分类号: | H01L21/26 | 分类号: | H01L21/26;H01L21/469 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 韦欣华;段晓玲 |
地址: | 美国北卡*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 描述了用于通过自组装来图案化沉积含纳米结构材料的方法和装置和相关制品。根据典型的实施方案,用于沉积含纳米结构材料的自组装方法包括形成含纳米结构材料。含纳米结构材料被化学官能化并分散在液体介质中形成悬浮液。使具有可吸引官能化含纳米结构材料表面的衬底的至少一部分与悬浮液接触。分离衬底和悬浮液。当与悬浮液分离时,含纳米结构材料粘着到衬底部分上。根据另一典型实施方案,在使衬底与悬浮液接触前在衬底的表面上形成亲水和疏水区域。官能化含纳米结构材料是亲水的,并在与悬浮液分离时粘着到衬底的亲水区域上。 | ||
搜索关键词: | 利用 组装 图案 沉积 纳米 结构 材料 方法 装置 相关 制品 | ||
【主权项】:
1.一种用于沉积含纳米结构材料的自组装方法,该方法包括:形成含纳米结构材料;化学官能化含纳米结构材料;在液体介质中分散官能化含纳米结构材料形成悬浮液;使具有可吸引官能化含纳米结构材料表面的衬底的至少一部分与悬浮液接触;和分离衬底和悬浮液,其中当与悬浮液分离时,含纳米结构材料粘着到衬底部分上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造