[发明专利]用于电阻开路缺陷的RAM地址译码器的测试无效
| 申请号： | 200480013820.9 | 申请日： | 2004-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN1791943A | 公开（公告）日： | 2006-06-21 |
| 发明（设计）人： | M·阿兹曼 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/00 | 分类号： | G11C29/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨生平;陈景峻 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 新测试图包括在矩阵内执行“非常小跳转”和“非常大跳转”。由行译码器控制“非常小跳转”以及具有敏化导致字线中的缓慢下降行为的电阻开路缺陷的效果。“非常小跳转”是指两个连续访问的存储器位置仍然在唯一子簇中直到已经测试那个子簇中的所有行为止，仍然在相同簇中直到已经测试那个簇中的所有行为止，仍然在相同U部中直到那个U部的所有行为止，并且最后仍然在相同Z块中直到已经测试那个Z块的所有行为止。“非常大跳转”用来覆盖导致缓慢上升行为的电阻开路缺陷的类，以及意图表示两个连续存储器访问必须永不保持在相同子簇中、相同簇或相同U部。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 电阻 开路 缺陷 ram 地址 译码器 测试 | ||
【主权项】：
1.一种用于测试包括用于接收逻辑数据的单元矩阵的电子电路的方法，所述单元矩阵划分成多个Z块，每个包括n行单元，其中n为大于1的整数，该方法包括访问所述矩阵中的所述单元的每一个的步骤，以及特征在于，两个连续单元访问仍然在相同Z块中直到已经访问其中的所有n个行为止。
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