[发明专利]制造具有提高的可制造性的自对准双极晶体管的方法及相关结构无效

专利信息
申请号: 200480013981.8 申请日: 2004-03-17
公开(公告)号: CN1791973A 公开(公告)日: 2006-06-21
发明(设计)人: A·卡尔博格;K·Q·因;K·林 申请(专利权)人: 杰斯半导体公司纽波特工厂
主分类号: H01L21/331 分类号: H01L21/331;H01L21/8222;H01L27/082
代理公司: 北京市中咨律师事务所 代理人: 杨晓光;李峥
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 根据一个示例性实施例,一种双极晶体管包括具有顶面的基极。所述双极晶体管还包括位于所述基极的所述顶面上的基极氧化物层。所述双极晶体管还包括位于所述基极氧化物层上的牺牲柱。所述双极晶体管还包括位于所述牺牲柱和所述基极的所述顶面上的保形层,其中所述保形层的致密度大于所述基极氧化物层的致密度。所述保形层可以是例如HDPCVD氧化物。根据本示例性实施例,所述双极晶体管还包括位于所述保形层上的牺牲平坦化层。所述牺牲平坦化层在第一与第二连接隔离物之间的第一区中具有第一厚度,在所述第一与所述第二连接隔离物外部的第二区中具有第二厚度,其中所述第二厚度通常大于所述第一厚度。
搜索关键词: 制造 具有 提高 对准 双极晶体管 方法 相关 结构
【主权项】:
1.一种双极晶体管,包括:基极,具有顶面;基极氧化物层,位于所述基极的所述顶面上;牺牲柱,位于所述基极氧化物层上;保形层,位于所述牺牲柱和所述基极的所述顶面上,所述保形层的致密度大于所述基极氧化物层的致密度;以及牺牲平坦化层,位于所述保形层上。
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