[发明专利]具有电荷存储位置的存储器有效
| 申请号： | 200480014053.3 | 申请日： | 2004-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN1795510A | 公开（公告）日： | 2006-06-28 |
| 发明（设计）人： | 利奥·马修;罗伯特·F.·斯蒂姆勒;拉玛禅德兰·姆拉里德尔 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | G11C11/34 | 分类号： | G11C11/34 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种存储器，它具有邻接半导体结构(1105)面对的侧壁的栅结构，包括沟道区(1725)以及栅结构与面对的侧壁之间的多个电荷存储位置(1713、1715、1709、1711)。沟道区位于在一个实施例中用作源/漏区的二个电流端子区之间。存储单元可以被提供在存储单元阵列(1801)中，其中，一个栅结构被耦合到一个字线，而另一个栅结构被耦合到另一个字线。在一个实施例中，各个单元包括4个电荷存储位置，各存储1位数据。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电荷 存储 位置 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种存储器件，它包括：衬底；衬底上的半导体结构，此半导体结构包括第一电流区与第二电流区之间的沟道区，此半导体结构具有第一侧壁和第二侧壁，第二侧壁面对第一侧壁；邻接第一侧壁的栅结构，沟道区包括沿邻接栅结构的第一侧壁而安置的部分；以及电荷存储位置，它至少包括位于第一侧壁与栅结构之间的部分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于飞思卡尔半导体公司，未经飞思卡尔半导体公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200480014053.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：射频信号数字部分响应非对称补偿
- 下一篇：寻址错误和地址检测系统和方法
