[发明专利]跨导体电路中的改进或关于跨导体电路的改进无效

专利信息
申请号: 200480014065.6 申请日: 2004-05-14
公开(公告)号: CN1795608A 公开(公告)日: 2006-06-28
发明(设计)人: J·B·休斯 申请(专利权)人: 皇家飞利浦电子股份有限公司
主分类号: H03F3/45 分类号: H03F3/45;H03H11/04
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 吴立明;陈景峻
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 荷兰;NL
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种跨导体电路,诸如回旋器滤波器,包括平衡AB类跨导体、电容器和浮动MOS电阻器的配置,该浮动MOS电阻器由工作于其三极管区域的晶体管形成。通过改变公共电源轨电压(Vdda)影响滤波器的调节。为了使得MOS电阻器的电阻值能够跟踪跨导体的跨导值(-G)的变化,电路提供了条件R=1/G。该电路包括用于由AB类跨导体的共模电压(Vcm)产生电压(Vcm-ΔV)偏移的装置(102)。该偏移电压提供给具有跨导(-G)的AB类跨导体(108)和模拟MOS电阻器的MOS晶体管(110)的源-漏路径的并行配置。该并行配置的电流输出I=ΔV(G-1/R)被积分,并且作为控制电压(cntrl)提供给MOS晶体管(110)的栅电极。通过环路行为调节该控制电压,由此当R=1/G时出现I=0,该环路稳定,该控制电压还提供给浮动MOS电阻器。
搜索关键词: 导体 电路 中的 改进 关于
【主权项】:
1.一种跨导体电路,包括同电源轨电压源(Vdda)耦合的跨导体(30、35),和包括MOS晶体管(84、86)的至少一个MOS电阻器(R),其源-漏路径耦合到该跨导体,电阻调节装置(96),其耦合到电源电压轨,并且具有用于向MOS晶体管的栅电极提供控制电压(cntr1)的输出,由此MOS电阻器的电阻值跟踪由于改变电源轨电压(Vdda)导致的调节而引起的跨导体的跨导变化。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于皇家飞利浦电子股份有限公司,未经皇家飞利浦电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200480014065.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top