[发明专利]跨导体电路中的改进或关于跨导体电路的改进无效
申请号: | 200480014065.6 | 申请日: | 2004-05-14 |
公开(公告)号: | CN1795608A | 公开(公告)日: | 2006-06-28 |
发明(设计)人: | J·B·休斯 | 申请(专利权)人: | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
主分类号: | H03F3/45 | 分类号: | H03F3/45;H03H11/04 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 吴立明;陈景峻 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | 一种跨导体电路,诸如回旋器滤波器,包括平衡AB类跨导体、电容器和浮动MOS电阻器的配置,该浮动MOS电阻器由工作于其三极管区域的晶体管形成。通过改变公共电源轨电压(Vdda)影响滤波器的调节。为了使得MOS电阻器的电阻值能够跟踪跨导体的跨导值(-G)的变化,电路提供了条件R=1/G。该电路包括用于由AB类跨导体的共模电压(Vcm)产生电压(Vcm-ΔV)偏移的装置(102)。该偏移电压提供给具有跨导(-G)的AB类跨导体(108)和模拟MOS电阻器的MOS晶体管(110)的源-漏路径的并行配置。该并行配置的电流输出I=ΔV(G-1/R)被积分,并且作为控制电压(cntrl)提供给MOS晶体管(110)的栅电极。通过环路行为调节该控制电压,由此当R=1/G时出现I=0,该环路稳定,该控制电压还提供给浮动MOS电阻器。 | ||
搜索关键词: | 导体 电路 中的 改进 关于 | ||
【主权项】:
1.一种跨导体电路,包括同电源轨电压源(Vdda)耦合的跨导体(30、35),和包括MOS晶体管(84、86)的至少一个MOS电阻器(R),其源-漏路径耦合到该跨导体,电阻调节装置(96),其耦合到电源电压轨,并且具有用于向MOS晶体管的栅电极提供控制电压(cntr1)的输出,由此MOS电阻器的电阻值跟踪由于改变电源轨电压(Vdda)导致的调节而引起的跨导体的跨导变化。
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