[发明专利]等离子体灰化装置和终点检测方法无效

专利信息
申请号: 200480014072.6 申请日: 2004-05-21
公开(公告)号: CN1802722A 公开(公告)日: 2006-07-12
发明(设计)人: A·史瑞伐斯塔伐;P·沙克希威尔;T·巴克利 申请(专利权)人: 艾克塞利斯技术公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 廖凌玲;胡强
地址: 美国马*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种用于从包括一低k电介质的一基板上移除有机物质的等离子体灰化装置,所述装置包含:一第一气体源;一与第一气体源流体连通的等离子体产生构件;一与等离子体产生构件流体连通的处理室;一与处理室流体连通的排放导管;其中排放导管包含用于引入一第二气体源的一入口,且一后燃烧组件耦接至排放导管,该入口设置在处理室与后燃烧组件的中间,且该后燃烧组件包含用于在有或无自第二气体源引入一气体的条件下而在排放导管内产生一等离子体的机构;及,一光学放射光谱装置,其耦接至排放导管,且包含聚焦在后燃烧组件的一等离子体释放区域内的聚光器件。一种用于无氧及无氮的等离子体处理的终点检测方法,包括:监视在等离子体灰化装置的排放导管中的一后燃烧器激发物种的一光学放射信号。所述方法和装置可用于含碳和/或氢的低k介电材料。
搜索关键词: 等离子体 灰化 装置 终点 检测 方法
【主权项】:
1.一种用于从基板上移除光阻抗蚀剂和/或蚀刻后的残留物的等离子体灰化装置,包含:一第一气体源;一与该第一气体源流体连通的等离子体产生构件,其中所述等离子体产生构件产生第一等离子体以从该基板上选择性移除光阻抗蚀剂和/或蚀刻后的残留物;一处理室,所述处理室与该等离子体产生构件流体连通以接收等离子体,其中所述处理室容纳该基板;一与所述处理室流体连通的排放导管,其中所述排放导管包含用于引入一第二气体源的一端口,且一后燃烧组件耦接至该排放导管,其中所述端口设置在该处理室与后燃烧组件的中间;和一光学检测系统,耦接至该排放导管且包含聚焦于该后燃烧组件的一等离子体释放区域内的聚光器件。
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