[发明专利]具有独立栅极结构的晶体管无效
| 申请号： | 200480014138.1 | 申请日： | 2004-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN1795540A | 公开（公告）日： | 2006-06-28 |
| 发明（设计）人： | 莱奥·马修;罗伯特·F·施泰梅尔;拉马钱德兰·穆拉利达尔 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;H01L21/304 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 钟强;谷惠敏 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种制造具有独立栅极结构(701，703)的晶体管的方法。栅极结构的每一个都与半导体结构(105)的侧壁相邻。该方法包括淀积至少一个共形层，该共形层包括在半导体结构上方的栅极材料层(203)，半导体结构包括沟道区。在晶片上方形成平面层(403)。平面层具有在衬底上方位置处的至少一个共形层顶部表面下方的顶部表面。蚀刻该至少一个共形层以移除在半导体结构上方的栅极材料。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 独立 栅极 结构 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括：提供衬底和在衬底上方的半导体结构，该半导体结构有第一侧壁、第二侧壁和顶部表面；在衬底上方淀积至少一个基本共形层，其中该至少一个基本共形层包括至少一个栅极材料层，其中该至少一个基本共形层具有在半导体结构上方的一高度处的顶部表面；在衬底上方、并在半导体结构上方的所述至少一个基本共形层的顶部表面高度之下形成基本平面层；和无磨蚀剂蚀刻穿过在半导体结构顶部表面上方的栅极材料层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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