[发明专利]体接触SOI晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 200480014574.9 | 申请日： | 2004-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN1795562A | 公开（公告）日： | 2006-06-28 |
| 发明（设计）人： | D·D·吴;W－J·齐 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/265;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊;程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提出了一种用于制备具有减小的体电阻的体接触SOI晶体管的方法。在晶片制备过程期间，半导体晶片被放置到离子注入装置中，并且定位于相对于离子注入装置的粒子束路径(31－34)的第一位置，以得到在粒子束路径与晶体管栅极(29)边缘之间基本上非正交的扭转方位。在定位于第一位置之后，将一种离子注入到第一注入区。然后旋转该晶片至第二基本上非正交的扭转方位，在那里进行另一次离子注入。这一过程以相同方式继续下去，使得进行其它基本上非正交扭转与离子注入，直到生成了所希望数目的注入区。环型注入或袋型注入是适用本技术的注入类型的一个例子。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 soi 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：将包含栅极边缘的半导体晶片放置到离子注入装置中；将所述半导体晶片定位于相对于所述离子注入装置的粒子束路径的第一位置，以得到所述粒子束路径与所述栅极边缘之间基本上非正交的扭转方位；以及当所述半导体晶片在所述第一位置时，将至少一种离子注入到所述半导体晶片的第一注入区。
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