[发明专利]具有边缘终止结构的半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200480014851.6 | 申请日： | 2004-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN1799145A | 公开（公告）日： | 2006-07-05 |
| 发明（设计）人： | R·J·格罗维 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明;梁永 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种具有半导体本体(22)的半导体器件及其制造方法，包括有源区(7)和围绕有源区的终止结构(16)。本发明特别涉及在有源区中具有沟槽电极的这种器件的终止结构。所述终止结构包括多个串联连接的、并从有源区向半导体本体的外围边缘(42)延伸的横向沟槽栅极晶体管器件(2a到2d)。如此设置横向器件，使得跨越所述横向器件分布有源区和所述外围边缘之间的电压差。终止结构比较紧凑，且该结构的特征容易以与有源区的特征相同的工艺步骤形成。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 边缘 终止 结构 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有半导体本体(22)的半导体器件，包括有源区(7)和围绕有源区的终止结构(16)，所述终止结构包括多个串联连接的、并从有源区向半导体本体的外围边缘(42)延伸的横向沟槽栅极晶体管器件(2a到2d)，每个横向器件包括其中具有栅电极(31)的沟槽(30)，所述栅电极通过栅极绝缘材料层(32)与半导体本体分离，所述横向器件的沟槽、栅电极和栅极绝缘材料层以与有源区中器件的沟槽(20)、其中的绝缘电极(11)和将绝缘电极绝缘的材料层(25)相同的各个工艺步骤而形成，所述横向器件的栅电极(31)延伸穿过第一导电类型区(15)，并且部分穿过下面的第二相反导电类型区(14a)，每个横向器件包括在它的栅电极(31)与更靠近有源区的横向器件一侧处的第一导电类型区(15)之间的导电连接(8，23)，以致跨越所述横向器件分布有源区和外围边缘之间的电压差。
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