[发明专利]NROM半导体存储器件和制造方法

摘要

制造NROM半导体存储器件的方法和相应的器件。包括步骤：在半导体衬底的沟槽内沿第一方向的行并沿第二方向缝隙设置多个间隔的u形MOSFET(T1、T2、T3；T1’、T2’、T3’)，u形MOSFET包括多层机制，尤其是用于限制电荷的ONO介质；在位于与缝隙平行的行之间的中间间隔中的u形MOSFET之间设置源极/漏极区域；在相邻缝隙的u形MOSFET之间的源极/漏极中设置绝缘沟槽，直到半导体衬底的特定深度，所述绝缘沟槽将源极/漏极切割成各个位线；利用绝缘材料来填充绝缘沟槽；并且设置字线，用于连接u形MOSFET的各个行。

主权项

1、一种用于制造NROM办半导体存储器件的方法，具有步骤：在半导体衬底(1)的沟槽(2)中，沿第一方向(x)的行并且沿第二方向(y)的列设置多个u形MOSFET(T1、T2、T3；T1’、T2’、T3’)，所述多个u形MOSFET互相分离并且具有多层介质，所述介质尤其是适用于限制电荷的ONO或Al2O3介质(5)；在与列平行的行之间的间隔中的u形MOSFET(T1、T2、T3；T1’、T2’、T3’)之间设置源极/漏极区域(15)；在相邻列的u形MOSFET(T1、T2、T3；T1’、T2’、T3’)之间的源极/漏极(15)中设置绝缘区(20)直到半导体衬底(1)的特定深度，所述绝缘沟槽将器件/漏极区域(15)切割成各个位线(BL1-BL4)；用绝缘材料(10”、10)填充绝缘沟槽(20)；以及设置字线(WL1、WL2)，用于连接u形MOSFET(T1、T2、T3；T1’、T2’、T3’)的各个行。