[发明专利]集成电路器件中的互连结构

摘要

本发明涉及双镶嵌集成电路器件中的互连结构的制造。具体地，公开了在低k介质薄膜中利用平面化材料和扩散阻挡材料形成单或双镶嵌结构的方法。在该方法的优选的双镶嵌实施例中，首先在介电材料(13)中形成过孔，然后在过孔中和介电材料上淀积平面化材料(16)，并且在平面化材料上淀积阻挡材料(17)。然后在成像材料(19)中光刻形成沟槽，穿过阻挡材料蚀刻到平面化材料中，并且沟槽图形转移到介电材料。在这些蚀刻步骤过程期间和之后，除去成像、阻挡和平面化材料。然后对得到的双镶嵌结构敷金属。利用该方法，减轻了由层间介电材料引起的光致抗蚀剂中毒问题。

主权项

1.一种在半导体衬底上形成蚀刻图形的方法，该方法包括以下步骤：在衬底上淀积薄膜；在薄膜上淀积平面化材料层；在平面化材料层上淀积阻挡材料层；在阻挡材料层上淀积至少一层成像材料；在成像材料、阻挡材料和平面化材料层中形成至少一个第一图形形状；在平面化材料中形成第一图形形状之后或同时，除去成像材料；转移第一图形形状到薄膜；在转移第一图形形状到薄膜之后或同时，除去阻挡层；以及除去平面化材料。