[发明专利]氮化物半导体发光器件有效
| 申请号： | 200480015121.8 | 申请日： | 2004-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN1799171A | 公开（公告）日： | 2006-07-05 |
| 发明（设计）人： | 神川刚;金子佳加;元木健作 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社;住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化物半导体发光器件，其中，衬底或氮化物半导体层具有缺陷集中区域和低缺陷区域，低缺陷区域对应于除缺陷集中区域外的区域。包括衬底或氮化物半导体层的缺陷集中区域的部分具有比低缺陷区域要深的沟槽区域。于是，通过在缺陷集中区域中挖掘出沟槽，可以使生长方向均匀和表面平整度提高。晶片表面内的特性的均匀性导致产率的提高。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
1、一种氮化物半导体发光器件，包括衬底和设置在所述衬底上的氮化物半导体层，其中，所述衬底或氮化物半导体层具有缺陷集中区域和低缺陷区域，所述低缺陷区域对应于除所述缺陷集中区域外的区域，以及其中，所述氮化物半导体层或所述衬底在其包括所述缺陷集中区域中具有雕刻区域，雕刻所述雕刻区域来使之低于所述低缺陷区域。
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