[发明专利]处理半导体加工部件的方法及由之形成的部件无效
| 申请号： | 200480015166.5 | 申请日： | 2004-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN1856868A | 公开（公告）日： | 2006-11-01 |
| 发明（设计）人： | Y·纳伦德拉;R·F·巴克利;A·G·黑尔;R·R·亨斯特 | 申请（专利权）人： | 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 朱黎明 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了各种半导体加工部件及其制造方法。一个实施方式中，半导体加工部件由SiC形成，部件的外表面部分的表面杂质水平不大于体杂质水平的10倍。另一个实施方式中，处理半导体加工部件的方法包括将部件在升高温度下暴露于卤素气体中，氧化所述部件形成氧化层，并除去该氧化层。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 半导体 加工 部件 方法 形成 | ||
【主权项】：
1.一种处理半导体加工部件的方法，该方法包括下面步骤：使部件在升高温度下暴露于卤素气体中；氧化所述部件，形成氧化层；除去该氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
