[发明专利]具有减少的热预算的结和硅化物的形成有效
| 申请号： | 200480015369.4 | 申请日： | 2004-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN1799125A | 公开（公告）日： | 2006-07-05 |
| 发明（设计）人： | 巴尔特－洛米吉·J·帕夫拉克 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 在半导体衬底(1)上形成金属－硅化物层(12、13、14、18、19)的方法，该半导体衬底(1)包括至少一个掺杂剂区域(5)；该掺杂剂区域(5)包括超浅结区；该方法包括用于形成掺杂剂区域(5)的至少一个杂质注入工艺(IB_dopant)作为第一步骤；该方法包括用于在掺杂剂区域(5)上形成金属－硅化物层(12、13、18、19)的至少一个金属注入工艺(IB_metal)作为第二步骤，并且该方法包括在第一和第二步骤之后进行低温退火工艺作为第三步骤，其中同时地，激活所述掺杂剂区域(5)和形成金属－硅化物层(12、13、14、18、19)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 减少 预算 硅化物 形成 | ||
【主权项】：
1、制造半导体器件的方法，包括在半导体衬底(1)上形成金属-硅化物层(12a、12b、13、14、18、19)的步骤，所述半导体衬底(1)包括至少一个掺杂剂区域(5)；所述掺杂剂区域(5)包括一个超浅结区；所述方法包括用于形成所述掺杂剂区域(5)的至少一个杂质注入工艺(IB_dopant)作为第一步骤；所述方法包括用于在所述掺杂剂区域(5)上形成所述金属-硅化物层(12、13、18、19)的至少一个金属注入工艺(IB_metal)作为第二步骤其特征在于所述方法设置成在所述第一和所述第二步骤之后执行：低温退火工艺作为第三步骤，其中同时地，激活所述掺杂剂区域(5)和形成所述金属硅化物层(12a、12b、13、14、18、19)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
