[发明专利]外延基片的制备方法

摘要

本发明涉及一种外延基片的制备方法，特别是制备GaN、SiGe、AIN或InN外延基片的方法。本发明的目的是提供一种外延基片的制备方法，该方法能够进一步降低基片的影响，同时在经济上也是可行的。本发明的目的通过下述步骤实现：提供底层基片，在底层基片中注入原子物质以产生较弱的层状区，在第一温度下在底层基片表面提供外延加强层，和在更高的第二温度下分离加强层，特别是与底层基片的子层一起从底层基片残余部分上分离，由此使所分离的材料产生伪基片，在该伪基片上提供均相外延层或异质外延层。

主权项

1.一种外延基片的制备方法，特别是GaN、SiGe、AlN或InN外延基片的制备方法，所述方法包含以下步骤：-提供晶体底层基片(1)；-向底层基片(1)中注入原子物质，特别是氢离子和/或稀有气体，在底层基片(1)内部产生基本平行于底层基片(1)的表面(2)的层状区(4)，由此在底层基片残余部分(11)和子层(6)之间限定弱界面；-在第一预定温度范围内，在底层基片(1)的子层(6)的表面上生长异质外延加强层(7)；-由于在第二预定温度范围中的热处理，将所述加强层(7)和所述底层基片(1)的子层(6)一起从底层基片的残余部分(11)上拆分下来，以产生伪基片(10)，所述第二预定温度范围的温度比所述第一温度范围的温度高；和-在所述伪基片(10)上生长均相外延层或异质外延层(14)。