[发明专利]高介电常数、低烧结的X7R陶瓷电容器,以及用于制备该电容器的粉末无效
| 申请号： | 200480015816.6 | 申请日： | 2004-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN1802714A | 公开（公告）日： | 2006-07-12 |
| 发明（设计）人： | 加利卜·H·马厄;萨米尔·马厄;詹姆斯·M·威尔逊 | 申请（专利权）人： | MRA实验室有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/12 | 分类号： | H01G4/12;C04B35/468 |
| 代理公司： | 北京金信立方知识产权代理有限公司 | 代理人： | 南霆 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种介电陶瓷粉末混合物，该混合物包括至少90wt％、平均颗粒尺寸为0.2－1.2微米的大体上为纯钛酸钡粉末；0.2－2.5wt％的硼硅酸钡锂助熔剂、硼硅酸锌锂助熔剂；0.1－0.3wt％的MnCO3；晶粒生长抑制剂如氧化铌或其它的铌化合物；0.4－1.2wt％的添加剂，该些添加剂选自：稀土氧化物、氧化钇、稀土氧化物的组合、稀土氧化物和氧化钇的组合，这些添加剂的平均离子半径约为0.97埃。介电陶瓷粉末提供的初始粉末用于制备满足X7R性能要求的低烧结多层陶瓷电容器。 | ||
| 搜索关键词： | 介电常数 烧结 x7r 陶瓷 电容器 以及 用于 制备 粉末 | ||
【主权项】：
1、一种介电陶瓷初始粉末，该粉末包括：a、至少90wt％、平均颗粒尺寸为0.2-1.2微米的大体上是纯的钛酸钡粉末；b、0.2-2.5wt％的助熔剂，该些助熔剂选自硼硅酸钡锂助熔剂、硼硅酸锌锂助熔剂，以及上述物质的混合物；c、0.05-0.3wt％的MnCO3；d、晶粒生长抑制剂，该些晶粒生长抑制剂选自：铌化合物Nb2O5、BaNb2O6、Cab2O6、MgNb2O6、LiNbO3，以及使Nb2O5的含量范围在0.4-1.5wt％的上述物质的混合物；钽化合物及其混合物，该混合物中Ta2O5的含量范围为0.66wt％-2.50wt％；以及等摩尔量的铌化合物和钽化合物的混合物；以及e、0.4-1.2wt％的添加剂，该些添加剂选自：稀土氧化物、氧化钇、稀土氧化物的组合、稀土氧化物和氧化钇的组合，这些稀土氧化物、氧化钇、稀土氧化物组合、稀土氧化物和氧化钇组合的平均离子半径约为0.97埃。
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