[发明专利]半导体元件无效
| 申请号： | 200480015846.7 | 申请日： | 2004-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN1802752A | 公开（公告）日： | 2006-07-12 |
| 发明（设计）人： | 内田正雄;北畠真;楠本修;山下贤哉;高桥邦方;宫永良子 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体元件。在本发明的半导体元件中，设置在碳化硅基板上的n型碳化硅层，具有从(0001)面朝着〔11－20〕方向切割(offcut)的上面。并且，在沟道区域中，将栅电极和源电极设置成以沿切割(offcut)方向流动的电流为主的样子。在本发明中，在形成栅绝缘膜后，再在含V族元素的环境下进行热处理。这样一来，由于在碳化硅层和栅绝缘膜的界面上，界面能级密度降低，因此切割方向A的电子迁移率比与切割方向A垂直的方向的电子迁移率高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 | ||
【主权项】：
1、一种半导体元件，其特征在于：包括：半导体衬底，设置在上述半导体衬底上、具有从结晶面朝着切割方向倾斜10度或低于10度的上表面的碳化硅层，设置在上述碳化硅层上的栅极绝缘膜、和设置在上述栅极绝缘膜上的栅电极，设置在上述碳化硅层上的上述栅电极侧向的源电极，设置在上述半导体衬底下方的漏电极，以及设置在上述碳化硅层的、至少位于上述源电极下的区域中的源极区域；从平面来看，上述源极区域中最长的边，沿着与上述切割方向垂直的方向。
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