[发明专利]用于利用气体化学剂周期调制的等离子体蚀刻的方法有效
| 申请号： | 200480016025.5 | 申请日： | 2004-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN1802730A | 公开（公告）日： | 2006-07-12 |
| 发明（设计）人： | E·A·哈森;J·V·蒂茨 | 申请（专利权）人： | 兰姆研究有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;陈景峻 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种蚀刻基板上方的层的方法。进行气体调制循环工艺三个循环以上。每个循环都包括利用具有沉积气体化学剂的第一气体化学剂进行保护层形成阶段，其对于每个循环进行约0.0055至7秒，且利用使用反应蚀刻气体化学剂的第二气体化学剂经由该蚀刻掩模进行用于该部件的蚀刻阶段，其对于每个循环进行约0.005至14秒。该保护层形成阶段包括提供该沉积气体和由该沉积气体形成等离子体。每个蚀刻阶段都包括提供反应蚀刻气体和由该反应蚀刻气体形成等离子体。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 利用 气体 化学剂 周期 调制 等离子体 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
1.一种经由基板上方的蚀刻掩模在层中蚀刻部件的方法，包括：进行气体调制的循环工艺大于三个循环，其中每个循环包括：利用具有沉积气体化学剂的第一气体化学剂执行保护层形成阶段，其中对于每个循环，执行保护层形成阶段约0.0055至7秒，包括；提供沉积气体；和由该沉积气体形成等离子体；和执行蚀刻阶段，用于利用使用反应蚀刻气体化学剂的第二气体化学剂经由该蚀刻掩模蚀刻该部件，该第一气体化学剂不同于该第二气体化学剂，其中对于每个循环，蚀刻阶段进行约0.005至14秒，包括：提供反应蚀刻气体；以及由反应蚀刻气体形成等离子体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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