[发明专利]绝缘体上硅器件有效
| 申请号： | 200480016043.3 | 申请日： | 2004-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN1802753A | 公开（公告）日： | 2006-07-12 |
| 发明（设计）人： | T·莱塔维克;J·彼得鲁泽洛 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/06;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 蔡民军;黄力行 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 公开了一种绝缘体上硅(SOI)器件，其中，P型掺杂的延伸部分(303)在器件的埋置氧化物层与SOI层之间被注入。此延伸部分的尺寸和形状使得源(309)能够被偏置在显著地低于承载器晶片(304)和漏的电压，这是现有技术SOI器件无法恰当地工作的一种条件。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘体 器件 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘体上硅(SOI)器件，它具有SOI区310、埋置的氧化物区312、以及P型反转区318，P型反转区与埋置的氧化物层形成第一结，并与SOI层形成第二结，埋置的氧化物层与SOI层形成第三结，P型反转区具有延伸进入第三结中的舌榫303。
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