[发明专利]直接转换接收的频率转换电路及其半导体集成电路以及直接转换接收机

摘要

在硅衬底上形成高度为HB、宽度为WB的矩形平行六面体突出部分(21)，并且在该突出部分(21)的上壁表面及侧壁表面部分上形成栅极氧化膜。在栅电极(26)的两个对边上形成源极和漏极，从而形成MOS晶体管。该MOS晶体管用于配置直接转换的频率转换电路和接收电路。以这种方式，可降低直接转换接收的频率转换电路中I和Q信号的误差。

主权项

1.一种用于直接转换接收的频率转换电路，对接收信号执行正交变换后将所述信号转换为I信号和Q信号，并且该电路在半导体集成电路的衬底上形成，它包括：差动放大电路，其包括MIS场效应晶体管，其中由硅衬底形成突出部分，所述硅衬底具有作为主表面的第一晶体表面和作为侧表面的第二晶体表面，在惰性气体的等离子体气氛中去掉硅表面上的封端氢，然后以所述等离子体气氛中等于或者低于大约550℃的温度在所述突出部分的上表面和所述侧表面的至少一部分上形成栅极绝缘膜，在所述栅极绝缘膜上形成栅极，并且在包围所述突出部分的所述栅极绝缘膜的两侧上形成漏极和源极。