[发明专利]在集成SOI工艺中防止寄生沟道无效
| 申请号： | 200480016201.5 | 申请日： | 2004-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN1806342A | 公开（公告）日： | 2006-07-19 |
| 发明（设计）人： | T·勒塔维 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 梁永 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 公开了一种绝缘体上的硅器件，其中通过在源或漏下面的深N注入阻止了在器件的薄膜部分感应出的寄生沟道(110)使得电流在源(101)和漏(101)之间流动。深N注入阻止了耗尽区的形成，由此切断了可能发生的电流在源(101)和漏(101)之间流动。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 soi 工艺 防止 寄生 沟道 | ||
【主权项】：
1、薄膜绝缘体的硅(SOI)器件包括源(101)，栅(103)，漏(102)，SOI层(104)和衬底层(107)，衬底层保持在比源足够低的电势，以使得寄生MOS沟道(110)在源和漏之间形成；在源或漏和寄生MOS沟道之间形成深N注入层(201)以阻止当器件处于关闭状态时在源和漏之间的电流经过寄生MOS沟道流动。
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