[发明专利]金属绝缘体半导体晶体管和互补金属氧化物半导体晶体管

摘要

公开了在半导体衬底中形成的一种MIS三极管，它包括：半导体衬底(702，910)，该半导体衬底具有其表面相对于衬底的主表面具有至少两个不同晶面(704，910B)的突出部；栅绝缘膜(708，920B)，覆盖至少一部分构成所述突出部的表面的各个晶面；栅电极(706，930B)，经所述栅绝缘膜形成在各个晶面上；以及相同电导率类型的扩散区(710a，710b，910c，910d)，它们形成在突出部中面对各个晶面以及栅绝缘电极的两侧上。通过具有这种结构，MIS晶体管能够具有增加的沟道宽度的同时，抑制装置面积的增加。

主权项

1.一种MIS晶体管，形成在半导体衬底上，包括：半导体衬底，包括一个突出部，该突出部的表面是主平面上的至少两个不同晶面；栅绝缘层，用于覆盖构成所述突出部的表面的各个所述至少两个不同晶面的至少一部分；栅电极，包含于所述栅绝缘层，以便与所述半导体衬底电绝缘，并且包含于构成所述突出部的表面的各个所述至少两个不同晶面上；以及单电导率型扩散区，形成在所述突出部中，面对构成所述突出部的表面的各个所述至少两个不同晶面，并且分别形成在所述栅电极的两侧上。