[发明专利]自由载流子的稳态非平衡分布和使用其的光子能量向上转换无效
| 申请号： | 200480016337.6 | 申请日： | 2004-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN1806343A | 公开（公告）日： | 2006-07-19 |
| 发明（设计）人： | 瓦莱丽·加伯;伊曼纽尔·巴斯金;亚历山大·爱泼斯坦;亚历山大·法耶尔;鲍里斯·斯佩克托尔 | 申请（专利权）人： | 西瑞卡公司 |
| 主分类号： | H01L31/00 | 分类号： | H01L31/00;G02F1/01 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 刘国伟 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 适用于使用介观标准约束(mesoscopic classicalconfinement)形成自由载流子的一稳态非平衡分布的方法和特定媒介。特定媒介为硅基(例如，晶体硅、非晶硅、二氧化硅)并由埋置在一诸如二氧化硅的宽能带隙材料基质中的介观尺寸粒子形成。围绕前述内容建构一IR(红外线辐射)到可见光成像系统(60、61、62、63)。 | ||
| 搜索关键词： | 自由 载流子 稳态 平衡 分布 使用 光子 能量 向上 转换 | ||
【主权项】：
1.一种形成自由载流子的一稳态非平衡分布的方法，其包含：提供一由埋置在一宽能带隙材料中的介观尺寸区域形成的组合结构；和，将自由载流子引入到所述组合结构中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
