[发明专利]碳化硅晶体的生长系统有效
| 申请号： | 200480016482.4 | 申请日： | 2004-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN1806069A | 公开（公告）日： | 2006-07-19 |
| 发明（设计）人： | G·瓦伦特;V·泊泽缇;O·克迪那;M·玛斯;N·斯派西亚勒;D·克里帕;F·普勒缇 | 申请（专利权）人： | LPE公司 |
| 主分类号： | C30B25/00 | 分类号： | C30B25/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 龙传红 |
| 地址： | 意大*** | 国省代码： | 意大利;IT |
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| 摘要： | 公开了在基底上生长碳化硅晶体的系统，该系统包括沿着轴延伸的腔室(1)，其中该腔室(1)具有独立的用于含碳气体和含硅气体的输入设备(2，3)，设置在腔室的第一终端区域(Z1)内的基底支撑设备(4)，设置在支撑设备(4)附近的废气输出设备(5)，和适于加热该腔室(1)至高于1800℃的温度的加热设备，对含硅气体的输入设备(2)进行设置并确定其形状和尺寸，其方式使含硅气体进入腔室的第二终端区域(Z2)内，对含碳气体的输入设备(3)进行设置并确定其形状和尺寸，其方式使碳和硅基本上在同时远离第一终端区域(Z1)和第二终端区域(Z2)的腔室的中心区域(ZC)内接触。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 晶体 生长 系统 | ||
【主权项】：
1.用于在基底上生长碳化硅晶体的系统，该系统包括沿着轴延伸的腔室，其中该腔室具有：-独立的用于含碳气体和含硅气体的输入设备，-设置在腔室的第一终端区域内的基底支撑设备，-设置在支撑设备附近的废气输出设备，-适于加热该腔室至高于约1800℃的温度的加热设备，其中对含硅气体的输入设备进行设置并确定其形状和尺寸，其方式使含硅气体进入腔室的第二终端区域，其特征在于，对含碳气体的输入设备进行设置并确定其形状和尺寸，其方式使碳和硅基本上在同时远离第一终端区域和第二终端区域的腔室的中心区域内接触。
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