[发明专利]用于半导体晶圆的薄层化学处理的方法和装置

摘要

一种半导体晶圆处理及分析装置(20)包括一在其内紧密接收半导体晶圆(27)的处理微腔室(22)。可打开该腔室供装载与移除半导体晶圆，且接着将其关闭用于晶圆的处理，其中将化学试剂及其它流体引入该腔室。将小间隙提供于上表面、下表面与晶圆的周边边缘及处理腔室的对应部分之间。提供高速收集系统以自腔室收集及移除用过的试剂及流体用于在线或离线分析或用于废物处理。

主权项

1.一种用于化学处理一半导体晶圆的装置，包括：(a)在其中紧密接收并处理一半导体晶圆的微腔室，该腔室包括一具有界定一上工作表面及一上内部周边的多个部分的第一区域，及一具有界定一下工作表面及一下内部周边的多个部分的第二区域，该处理腔室可在一供自其接收及移除该半导体晶圆的打开位置与一供紧密接收该半导体晶圆以供化学处理的关闭位置之间移动，(b)其中当该腔室处于关闭位置时，半导体晶圆安装于该上工作表面与下工作表面之间，以界定该上工作表面与该半导体晶圆的相邻表面之间的一窄空隙及/或该下工作表面与该半导体晶圆的相邻表面之间的一窄空隙及/或该半导体晶圆的外周边与该腔室第一及/或第二区域的内周边之间的一窄空隙；(c)在该腔室第一区域及/或该腔室第二区域上的至少一入口开口供引导处理流体进入该腔室；(d)其中对该腔室第二区域进行造型，使得该下工作表面的多个部分在低于该下工作表面的剩余部分的高度处，以充当用于用过的处理流体之一收集位置；(e)一与该腔室第二区域的该造型部分流体流动连通的出口，用以引导用过的处理流体离开该腔室，及(f)至少一在该腔室中的入口开口供引导气体进入该腔室，该气体充当一用于该处理流体的载体，用以将该处理流体运载入该腔室第二区域的该造型部分且运载出该腔室出口。