[发明专利]非易失性静态存储器单元无效

专利信息
申请号: 200480016966.9 申请日: 2004-06-10
公开(公告)号: CN1809894A 公开(公告)日: 2006-07-26
发明(设计)人: R·库彭斯;A·M·H·迪特维格 申请(专利权)人: 皇家飞利浦电子股份有限公司
主分类号: G11C14/00 分类号: G11C14/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 程天正;梁永
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 一个静态存储器单元包括一对交叉耦合的倒相器(10,12),所述倒相器由非易失性存储器元件(14,16)来“屏蔽”,以使得被写入所述静态存储器的数据不仅能被存储在所述非易失性单元中,也能在以后被再调用。用相反的数据编程所述非易失性单元(14,16),以便提高检索处理的鲁棒性,并且所述非易失性单元被交叉耦合到所述静态存储器单元的内部节点(A,B),其中一个非易失性单元(14)的控制栅极连接到节点B,其源极连接到节点A,另一个非易失性元件(16)的控制栅极连接到节点A,其源极连接到节点B。每个非易失性元件(14,16)的漏极经由对应的pMOS晶体管(18,20)连接到程序提供装置。
搜索关键词: 非易失性 静态 存储器 单元
【主权项】:
1、一种单个集成电路包装中的存储器设备,包括:-一个静态存储器装置(10,12),用于定义与读数据线和/或写数据线通信连接的至少第一节点和第二节点(A,B);以及-与所述静态存储器装置(10,12)相关联的至少一个非易失性存储器装置(14,16),用于将存储在其中的数据写入到所述静态存储器装置(10,12);其特征在于,所述非易失性存储器装置包括至少两个分别与所述第一节点和第二节点(A,B)交叉耦合的非易失性存储器元件(14,16)。
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