[发明专利]SOI形状的结构有效
| 申请号： | 200480016968.8 | 申请日： | 2004-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN1809920A | 公开（公告）日： | 2006-07-26 |
| 发明（设计）人： | W·－T·康 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L27/12;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;梁永 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 形成的降低浮体效应的绝缘体上硅形状的结构，包含T形有源结构和用于反向偏压的体接触。刻蚀穿过两个氧化物层的T形将形成T形有源区域。当金属线穿过SOI结构下落并到达接触栓时，形成反向偏压。该接触栓掺入N+或P+掺杂剂，并嵌在Si衬底内。该T形有源结构用于降低通常阻碍体晶体管效率的短沟道效应及结电容。该反向偏压用作所产生的空穴离开SOI晶体管区域的渠道，因此大幅减小了通常和SOI结构相关的浮体效应。 | ||
| 搜索关键词： | soi 形状 结构 | ||
【主权项】：
1.一种在集成电路中晶片上制造绝缘体上硅有源结构的方法，该方法包含步骤：在该绝缘体上形成中断；以及在形成于该绝缘体内的该中断内沉积硅。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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